矽穿孔解決方案

先進技術

3DIC

3D IC 是一種由矽晶圓或晶片垂直整合的異質技術，透過微凸塊(u-bumps)和Through Silicon Via(TSV)達到彼此互連。TSV製造技術被視為3DIC的核心，因為它提供了縮短互連路徑、更薄的封裝尺寸、高密度、低功耗、更小的外型尺寸和高性能等優點；這些優點使3DIC在一些特定的應用領域取得了商業上的成功，例如HPC和AI。

高效能、高密度與低耗電

我們的3DIC解決方案提供矽穿孔(TSV)和記憶體晶粒堆疊。

對於後通孔式(Via Last)製程，晶圓代工廠先進行前段製程(互補性氧化金屬半導體)與金屬化；力成則進行微凸塊、矽穿孔形成、矽穿孔填充、重佈線層等堆疊與封裝製程(後段製程)。
在晶粒堆疊製程中，首先以半導體中段製程(MEOL)完成晶粒的互連(矽穿孔、微凸塊)，然後以後段製程(BEOL)完成單一化，再進一步以熱壓接合(TCB)進行晶粒堆疊。

能力

中段製程

在矽穿孔製程（微影、蝕刻、化學氣相沉積、電鍍等）中具有良好的穩定性
在晶圓薄化過程中具有優異的總厚度變化(TTV)控制能力
控制並保持微凸塊高度的良好均勻性

後段製程

高良率與高準確度的晶粒堆疊
晶圓級模封與研磨以達到晶粒裸露的結構
針對低介電係數材料或極低介電係數材料的微控制晶片進行雷射開槽

應用

高效能運算
網路
資料中心
人工智慧

特點

高可靠度的中通孔(Via-middle)和後通孔(Via-last)製程
擁有多種晶粒堆疊製程能力，包括chip-on-wafer和chip-on-substrate
雙面微凸塊製程，良好的總厚度變化控制能力
晶圓級組裝 (晶圓級模封、模封研磨、針測等)
良好的封裝翹曲控制 (小於等於10微米)

CMOS 影像感測器

CMOS 影像感測器(CIS)是將光學影像轉換成類比訊號的電子裝置。基本上，它可分為兩大類：前照式(FSI)與背照式(BSI)。近年來，這兩種技術都被廣泛應用在一些商業需求上，例如相機感測器、行動裝置和汽車。最近最吸引人的是堆疊式 CIS，將背照式影像感測器、記憶體晶圓和影像訊號處理器(ISP)晶圓垂直整合，在高階應用上具有更高效能、更低功耗的優勢。

矽穿孔技術在CIS的應用

將影像感測器元件與處理器元件結合，以縮小CIS封裝結構。在製造CIS封裝時，影像感測器元件先保持晶圓形式，然後在影像感測器晶圓上製作矽穿孔(TSV)和背面重佈線層(RDL)，接著進行凸塊電鍍，與單晶片式處理器上的微凸塊互連。封裝完成時，會使用晶圓級底部填充材和模塑化合物，為晶片提供進一步的保護。力成提供具有TSV互連的CIS TSV CSP。CIS TSV CSP的優點在於高速、封裝外型小巧、z軸高度低。力成擁有優異的耐潮材料、良好的TSV Via-last製程能力及優異的可靠度表現。