先进技术
晶圆凸块
晶圆凸块是在晶圆上形成的金属凸块,每个凸块都是一个集成电路信号接点。有别于传统的打线接合,打线接垫是位于周边区域,而凸块的输入输出接垫则可分布于芯片的所有表面,因此可缩小芯片尺寸并优化电性路径。随着小型化与高效能封装的发展,凸块封装逐渐取代传统的打线封装。

凸块
焊料凸块
随着组件数量的不断增加,凸块正在取代打线作为连接方法。在所有凸块类型中,无铅凸块在覆晶技术中的生产历史最为悠久。无铅凸块是在半导体组件的接触垫上形成的球状焊料,随后用于覆晶接合。力成自2013年起开始量产。

能力
- 凸点间距 130~250 微米
- 凸块高度 70~100 微米
- 可选用聚酰亚胺(PI)层用于逻辑和内存组件
Bumping
铜柱凸块
铜柱凸块(CPB)结构具有更佳的抗电子迁移能力、降低功率损耗及讯号延迟,以及更佳的散热效能。与焊料凸块相比,铜柱凸块技术还能有效地控制接点直径和突出高度,从而形成细间距接点。可应用于行动应用处理器、高效能运算、基频、内存、特殊应用芯片和系统单芯片。自 2013 年起,PTI 拥有生产经验,包括各种逻辑和内存装置。

能力
- 凸块间距 40~130 微米
- 最大凸块高度 103 微米
- 可选用聚酰亚胺(PI)层用于逻辑和内存组件

Bumping
重布线层解决方案
铜镍金重布线层主要应用于需要高耐蚀性、高可靠性、良好焊接性的封装技术,因为Au表面能减少氧化并提供低损耗的讯号传输。铜重布线则主要应用于高密度、高效能、低成本的先进封装,提升 I/O 密度并减少封装尺寸。
能力
- 铜与铜/镍/金之重布线层
- 最小线宽/线距为 5微米/5微米
- 结构:2P1M、2P2M和3P2M