晶圆凸块

先进技术

晶圆凸块是在晶圆上形成的金属凸块，每个凸块都是一个集成电路信号接点。有别于传统的打线接合，打线接垫是位于周边区域，而凸块的输入输出接垫则可分布于芯片的所有表面，因此可缩小芯片尺寸并优化电性路径。随着小型化与高效能封装的发展，凸块封装逐渐取代传统的打线封装。

凸块

焊料凸块

随着组件数量的不断增加，凸块正在取代打线作为连接方法。在所有凸块类型中，无铅凸块在覆晶技术中的生产历史最为悠久。无铅凸块是在半导体组件的接触垫上形成的球状焊料，随后用于覆晶接合。力成自2013年起开始量产。

能力

凸点间距 130~250 微米
凸块高度 70~100 微米
可选用聚酰亚胺(PI)层用于逻辑和内存组件

Bumping

铜柱凸块

铜柱凸块(CPB)结构具有更佳的抗电子迁移能力、降低功率损耗及讯号延迟，以及更佳的散热效能。与焊料凸块相比，铜柱凸块技术还能有效地控制接点直径和突出高度，从而形成细间距接点。可应用于行动应用处理器、高效能运算、基频、内存、特殊应用芯片和系统单芯片。自 2013 年起，PTI 拥有生产经验，包括各种逻辑和内存装置。