硅穿孔解决方案

先进技术

3DIC

3D IC 是一种由硅晶圆或芯片垂直整合的异质技术，透过微凸块(u-bumps)和Through Silicon Via(TSV)达到彼此互连。TSV制造技术被视为3DIC的核心，因为它提供了缩短互连路径、更薄的封装尺寸、高密度、低功耗、更小的外型尺寸和高性能等优点；这些优点使3DIC在一些特定的应用领域取得了商业上的成功，例如HPC和AI。

高效能、高密度与低耗电

我们的3DIC解决方案提供硅穿孔(TSV)和内存晶粒堆栈。

对于后通孔式(Via Last)制程，晶圆代工厂先进行前段制程(互补性氧化金属半导体)与金属化；力成则进行微凸块、硅穿孔形成、硅穿孔填充、重布线层等堆栈与封装制程(后段制程)。
在晶粒堆栈制程中，首先以半导体中段制程(MEOL)完成晶粒的互连(硅穿孔、微凸块)，然后以后段制程(BEOL)完成单一化，再进一步以热压接合(TCB)进行晶粒堆栈。

能力

中段制程

在硅穿孔制程（微影、蚀刻、化学气相沉积、电镀等）中具有良好的稳定性
在晶圆薄化过程中具有优异的总厚度变化(TTV)控制能力
控制并保持微凸块高度的良好均匀性

后段制程

高良率与高准确度的晶粒堆栈
晶圆级模封与研磨以达到晶粒裸露的结构
针对低介电系数材料或极低介电系数材料的微控制芯片进行雷射开槽

应用

高效能运算
网络
数据中心
人工智能

特点

高可靠度的中通孔(Via-middle)和后通孔(Via-last)制程
拥有多种晶粒堆栈制程能力，包括chip-on-wafer和chip-on-substrate
双面微凸块制程，良好的总厚度变化控制能力
晶圆级组装 (晶圆级模封、模封研磨、针测等)
良好的封装翘曲控制 (小于等于10微米)

CMOS 影像传感器

CMOS 影像传感器(CIS)是将光学影像转换成模拟讯号的电子装置。基本上，它可分为两大类：前照式(FSI)与背照式(BSI)。近年来，这两种技术都被广泛应用在一些商业需求上，例如相机传感器、行动装置和汽车。最近最吸引人的是堆栈式 CIS，将背照式影像传感器、内存晶圆和影像讯号处理器(ISP)晶圆垂直整合，在高阶应用上具有更高效能、更低功耗的优势。

硅穿孔技术在CIS的应用

将影像传感器组件与处理器组件结合，以缩小CIS封装结构。在制造CIS封装时，影像传感器组件先保持晶圆形式，然后在影像传感器晶圆上制作硅穿孔(TSV)和背面重布线层(RDL)，接着进行凸块电镀，与单芯片式处理器上的微凸块互连。封装完成时，会使用晶圆级底部填充材和模塑化合物，为芯片提供进一步的保护。力成提供具有TSV互连的CIS TSV CSP。CIS TSV CSP的优点在于高速、封装外型小巧、z轴高度低。力成拥有优异的耐潮材料、良好的TSV Via-last制程能力及优异的可靠度表现。