晶圓凸塊

先進技術

晶圓凸塊是在晶圓上形成的金屬凸塊，每個凸塊都是一個積體電路信號接點。有別於傳統的打線接合，打線接墊是位於周邊區域，而凸塊的輸入輸出接墊則可分佈於晶片的所有表面，因此可縮小晶片尺寸並最佳化電性路徑。隨著小型化與高效能封裝的發展，凸塊封裝逐漸取代傳統的打線封裝。

凸塊

焊料凸塊

隨著元件數量的不斷增加，凸塊正在取代打線作為連接方法。在所有凸塊類型中，無鉛凸塊在覆晶技術中的生產歷史最為悠久。無鉛凸塊是在半導體元件的接觸墊上形成的球狀焊料，隨後用於覆晶接合。力成自2013年起開始量產。

能力

凸點間距 130~250 微米
凸塊高度 70~100 微米
可選用聚酰亞胺(PI)層用於邏輯和記憶體元件

Bumping

銅柱凸塊

銅柱凸塊(CPB)結構具有更佳的抗電子遷移能力、降低功率損耗及訊號延遲，以及更佳的散熱效能。與焊料凸塊相比，銅柱凸塊技術還能有效地控制接點直徑和突出高度，從而形成細間距接點。可應用於行動應用處理器、高效能運算、基頻、記憶體、特殊應用晶片和系統單晶片。自 2013 年起，PTI 擁有生產經驗，包括各種邏輯和記憶體裝置。